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IPG20N06S2L-35	文件：167.85 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS Power-Transistor Features •DualN-channelLogicLevel-Enhancementmode •AECQ101qualified •MSL1upto260°Cpeakreflow •175°Coperatingtemperature •GreenProduct(RoHScompliant) •100Avalanchetested	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IPG20N06S2L-35A	文件：208.06 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS짰 Power-Transistor Features •DualN-channelLogicLevel-Enhancementmode •AECQ101qualified •MSL1upto260°Cpeakreflow •175°Coperatingtemperature •GreenProduct(RoHScompliant) •100Avalanchetested •Feasibleforautomaticopticalinspection(AOI)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司

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IPG20N06S2L-35

文件：167.85 Kbytes

Page：9 Pages

OptiMOS Power-Transistor

Features •DualN-channelLogicLevel-Enhancementmode •AECQ101qualified •MSL1upto260°Cpeakreflow •175°Coperatingtemperature •GreenProduct(RoHScompliant) •100Avalanchetested

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

IPG20N06S2L-35A

文件：208.06 Kbytes

Page：9 Pages

OptiMOS짰 Power-Transistor

Features •DualN-channelLogicLevel-Enhancementmode •AECQ101qualified •MSL1upto260°Cpeakreflow •175°Coperatingtemperature •GreenProduct(RoHScompliant) •100Avalanchetested •Feasibleforautomaticopticalinspection(AOI)

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

详细参数

型号：
IPG20N06S2L-35
功能描述：
MOSFET Dual N-Ch 55V MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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