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IPG20N04S4L-07	文件：161.69 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T2 Power-Transistor 文件：161.69 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPG20N04S4L-07	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-650V汽车级MOSFET • Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode\n • AEC Q101 qualified\n • MSL1 up to 260°C peak reflow\n • 175°C operating temperature\n • Green Product (RoHS compliant)\n • 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• Dual Super S08 can replace multiple DPAKs for significant PCB area savings and system lev;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPG20N04S4L-07A	文件：203.42 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS??T2 Power-Transistor 文件：203.42 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPG20N04S4L-07A	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-650V汽车级MOSFET • Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode\n • AEC Q101 qualified\n • MSL1 up to 260°C peak reflow\n • 175°C operating temperature\n • Green Product (RoHS compliant)\n • 100% Avalanche tested\n • Feasible for automatic optical inspection (AOI)\n\n优势:\n• Dual Super S08 can replace multiple D;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IPG20N04S4L07ATMA1
Qualification：
Automotive
Package name：
dual SS08 (PG-TDSON-8)
VDS max：
40 V
RDS (on) @10V max：
7.2 mΩ
ID @25°C max：
20 A
QG typ @10V：
39 nC
Polarity：
N+N
VGS(th) min：
1.2 V
VGS(th) max：
2.2 V
Technology：
OptiMOS™-T2

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