Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半导体

丝印：028；Package：MicroFET；Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

Dual N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半导体

双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET 20V，3.7A，68mΩ

该器件是专为满足蜂窝手机和其他超便携应用中的双开关要求而设计的单封装解决方案。 该器件具有两个带低通态电阻的独立N沟道MOSFET，可最大限度地降低传导损耗。 MicroFET 2x2封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合线性模式应用。 •3.7 A，20V。 RDS(ON) = 68 mΩ @ VGS = 4.5VRDS(ON) = 86 mΩ @ VGS = 2.5V\n•薄型 - 最厚0.8mm - 采用新的MicroFET 2x2 mm封装\n•HBM静电放电保护等级为>2kV（注3）\n•符合RoHS标准\n•无任何卤代化合物和锑氧化物;

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