P 沟道 PowerTrench® MOSFET -20V，-14A，8.4mΩ

此 P 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产，这一先进工艺已针对 rDS(ON)、开关性能和稳固性进行了优化。 最大值 rDS(on) = 8.4 mΩ（VGS = -4.5 V、ID = -14 A）\n最大 rDS(on) = 13 mΩ（VGS = -2.5 V、ID = -11 A）\n高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)\n 高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装\n终端无引线且符合 RoHS 标准\nHBM ESD 能力电平> 3.6 KV 典型值（注 4）;

ONSEMI

安森美半导体

P-Channel PowerTrench짰 MOSFET

文件：261.56 Kbytes 页数：7 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Selection Guide

SANKEN IGBT FGT313, FGT312, FGT412, FGT612, FGM622S, FGM603, FGM623S, MGD623N, MGD623S

文件：175.58 Kbytes 页数：4 Pages

Sanken

三垦

60.0 Ampere Heatsink Dual Common Anode Ultra Fast Recovery Rectifiers

Features ※ ThinkiSemi latest&matured process FRD/FRED ※ Low forward voltage drop ※ High current capability ※ Low reverse leakage current ※ High surge current capability Application ※ Automotive Inverters and Solar Inverters ※ Car Audio Amplifiers and Sound Device Systems ※ Plating Power

文件：282.51 Kbytes 页数：2 Pages

THINKISEMI

思祁半导体

60.0 Ampere Heatsink Dual Common Cathode Ultra Fast Recovery Rectifiers

Features ※ ThinkiSemi latest&matured process FRD/FRED ※ Low forward voltage drop ※ High current capability ※ Low reverse leakage current ※ High surge current capability Application ※ Automotive Inverters and Solar Inverters ※ Car Audio Amplifiers and Sound Device Systems ※ Plating Power

文件：281.4 Kbytes 页数：2 Pages

THINKISEMI

思祁半导体