FDMC612PZ中文资料P 沟道 PowerTrench® MOSFET -20V，-14A，8.4mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMC612PZ规格书详情
描述 Description
此 P 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产，这一先进工艺已针对 rDS(ON)、开关性能和稳固性进行了优化。
特性 Features
最大值 rDS(on) = 8.4 mΩ（VGS = -4.5 V、ID = -14 A）
最大 rDS(on) = 13 mΩ（VGS = -2.5 V、ID = -11 A）
高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)
高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
终端无引线且符合 RoHS 标准
HBM ESD 能力电平> 3.6 KV 典型值（注 4）
应用 Application
This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMC612PZ
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-freeHalide free
- Status
： Active
- Description
： P-Channel PowerTrench® MOSFET -20V
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-20
- VGS Max (V)
：12
- VGS(th) Max (V)
：-1.5
- ID Max (A)
：-14
- PD Max (W)
：26
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：13
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：8.4
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：14
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：53
- Ciss Typ (pF)
：5710
- Package Type
：WDFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
24145 |
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询价 | ||
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询价 | ||
ON |
20+ |
SMD |
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VB |
25+ |
MLP3.3X3.3 |
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FAIRCHILD |
20+ |
DFN33 |
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询价 | ||
FSC |
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QFN |
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询价 | ||
FSC |
23+ |
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FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
PQFN-8 |
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有96K |
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