-20V P沟道PowerTrench® MOSFET

此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺已针对rDS(on)、开关性能和稳固性进行了优化。 •最大值 RDS(on) = 8.0 mΩ（VGS = -4.5 V, ID = -12 A）\n•最大值 RDS(on) = 9.8 mΩ（VGS = -2.5 V, ID = -10 A）\n•最大值 RDS(on) = 13 mΩ（VGS = -1.8 V, ID = -9.3 A）\n•最大值 RDS(on) = 17 mΩ（VGS = -1.5 V, ID = -8.3 A）\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)\n•高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装\n•100%经过UIL测试\n•终端无引线且符合RoHS标准\n•HBM ESD能力等级> 2KV典;

ONSEMI

安森美半导体

P-Channel PowerTrench MOSFET

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

P-Channel PowerTrench짰 MOSFET -20 V, -6 A, 37 m廓

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

1550 nm LASER DIODES

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