FDMC15N06

55 V、15 A、90 mΩ、N 沟道 UltraFET 功率 MOSFET; •RDS(on)=0.075Ω （典型值）需 VGS=10V，ID=15A\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•符合 RoHS 标准\n;

这些N沟道功率MOSFET采用创新的UItraFET工艺制造。 这种先进工艺技术实现了单位硅面积内最低的通态电阻，可以带来出色的性能。此器件能够在雪崩模式下承受高能量并且二极管具有极低的反向恢复时间和存储电荷。 此器件设计用于能效非常重要的应用，例如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关以及便携式设备和电池供电产品的功率管理。

FDMC15N06

N-Channel MOSFET 55V, 15A, 0.090廓

FQU15N06L

N-Channel60V(D-S)MOSFET

G15N06K

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheG15N06Kusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

HFP15N06

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

Features •15A,60V(SeeNote),RDS(on)