Single N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 30 V, 9 A, 21 m廓

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Fairchild

仙童半导体

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，9A，21mΩ

该器件设计用于提供同步降压转换器的最高效率和热性能。 低rDS(on)和栅极充电提供了卓越的开关性能。 •在VGS = 10 V且ID = 9 A时，最大值rDS(on) = 21 mΩ \n•在VGS = 4.5 V且ID = 7 A时，最大值rDS(on) = 32 mΩ \n•薄型 - 最厚0.8mm - 采用新的MicroFET 2x2 mm封装\n•无卤素化合物和锑氧化物\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Application » DC — DC Buck Converters » Load switch « Power management « Motor Control Portable Power Adaptors

文件：2.53367 Mbytes 页数：4 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

N-Channel Power Trench짰 MOSFET 30 V, 16.9 A, 5.7 m

文件：215.13 Kbytes 页数：7 Pages

Fairchild

仙童半导体

N-Channel Power Trench SyncFETTM

文件：349.32 Kbytes 页数：8 Pages

Fairchild

仙童半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 30 V, 5.0 m廓

General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node ringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(on), fast sw

文件：328.87 Kbytes 页数：7 Pages

Fairchild

仙童半导体