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FDD8444L

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

Features Typ rDS(on) = 3.8mΩ at VGS = 5V, ID = 50A Typ Qg(tot)= 46nC at VGS= 5V Low Miller Charge Low QrrBody Diode UIS Capability (Single Pulse/ Repetitive Pulse) Qualified to AEC Q101 RoHS Compliant

文件:282.07 Kbytes 页数:7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDD8444L

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 40V, ID= 80A RDS(ON)

文件:2.04001 Mbytes 页数:4 Pages

BYCHIP

百域芯

FDD8444L-F085

丝印:FDD8444L;Package:TO-252AA;N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

文件:511.03 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FDD8444L_F085_09

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 40V, 50A, 6.0m廓

文件:394.47 Kbytes 页数:7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDD8444LF085

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

文件:394.47 Kbytes 页数:7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDD8444L-F085

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

文件:394.47 Kbytes 页数:7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDD8444L

MOSFET N-CH 40V 50A DPAK

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    FDD8444L

  • 功能描述:

    MOSFET 40V N-Ch POWERTRENCH MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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TO252
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ONSEMI/安森美原装特价FDD8444L即刻询购立享优惠#长期有货
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更多FDD8444L供应商 更新时间2026-1-22 14:14:00