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FDD6780A	文件：331.57 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID=30A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=25V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =8.6mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c 文件：331.57 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FDD6780A	文件：986.8 Kbytes Page：4 Pages	N-channel Advanced Mode Power MOSFET Features  VDS= 40V, ID= 150A RDS(ON) 文件：986.8 Kbytes 页数：4 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
FDD6780A	文件：336.95 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 25 V, 8.6 m廓文件：336.95 Kbytes 页数：7 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6780A	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 25V 16.4A DPAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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