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FDD6780A	文件：331.57 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=8.6mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDD6780A	文件：986.8 Kbytes Page：4 Pages	N-channel Advanced Mode Power MOSFET Features VDS=40V,ID=150A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
FDD6780A	文件：336.95 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 25 V, 8.6 m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
LTS-6780P	文件：139.33 Kbytes Page：5 Pages	0.56inch(14.22mm)DIGITHEIGHT.	LITEONLite-On Technology Corporation 光宝科技光宝科技股份有限公司	LITEON
MAN6780	文件：505.78 Kbytes Page：5 Pages	0.560-INCHSEVENSEGMENTDISPLAYS 0.560-INCHSEVENSEGMENTDISPLAYS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MAN6780	文件：482.4 Kbytes Page：4 Pages	0.560-INCHSEVENSEGMENTDISPLAYS	QT QT Optoelectronics	QT
MAX6780	文件：200.1 Kbytes Page：11 Pages	Low-Power,1-AccurateBatteryMonitorsin關DFNandSC70Packages	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX6780LTAT	文件：217.84 Kbytes Page：12 Pages	Low-Power,1-AccurateBatteryMonitorsinuDFNandSC70Packages GeneralDescription TheMAX6775–MAX6781low-power,1-accuratebatterymonitorsareavailableintheultra-smallµDFNpackage(1.0mmx1.5mm)andSC70packages.Theselow-powerdevicesareidealformonitoringsinglelithium-ion(Li+)cells,ormulticellalkaline/NiCd/NiMHpowersources.Thesedev	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
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MAX6780LTCT	文件：217.84 Kbytes Page：12 Pages	Low-Power,1-AccurateBatteryMonitorsinuDFNandSC70Packages GeneralDescription TheMAX6775–MAX6781low-power,1-accuratebatterymonitorsareavailableintheultra-smallµDFNpackage(1.0mmx1.5mm)andSC70packages.Theselow-powerdevicesareidealformonitoringsinglelithium-ion(Li+)cells,ormulticellalkaline/NiCd/NiMHpowersources.Thesedev	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim

详细参数

型号：
FDD6780A
功能描述：
MOSFET 25V 30A N-Channel PowerTrench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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