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C3D10060G	文件：977.88 Kbytes Page：6 Pages	丝印：C3D10060；Package：TO-263-2；Silicon Carbide Schottky Diode Z-Rec® Rectifier Features • 600-Volt Schottky Rectifier • Zero Reverse Recovery Current • Zero Forward Recovery Voltage • High-Frequency Operation • Temperature-Independent Switching Behavior • Extremely Fast Switching • Positive Temperature Coefficient on VF Benefits • Replace Bipolar with Unipolar Recti 文件：977.88 Kbytes 页数：6 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
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C3D10060A	文件：291.41 Kbytes Page：2 Pages	Z-RecTM Rectifiers and Zero-Recovery짰 Rectifiers Z-REC™ RECTIFIERS and ZERO-RECOVERY® RECTIFIERS SILICON CARBIDE Z-FET™ MOSFET 文件：291.41 Kbytes 页数：2 Pages	Cree 科锐	Cree
C3D10060A	文件：508.88 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode Z-REC™ RECTIFIERS and ZERO-RECOVERY® RECTIFIERS SILICON CARBIDE Z-FET™ MOSFET 文件：508.88 Kbytes 页数：6 Pages	Cree 科锐	Cree
C3D10060A	文件：1.67597 Mbytes Page：8 Pages	3rd Generation 600 V, 10 A Silicon Carbide Schottky Diode Description With the performance advantages of a Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier diode, power electronics systems can expect to meet higher efficiency standards than Si-based solutions, while also reaching higher frequencies and power densities. SiC diodes can be easily paralleled to m 文件：1.67597 Mbytes 页数：8 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
C3D10060G	文件：291.41 Kbytes Page：2 Pages	Z-RecTM Rectifiers and Zero-Recovery짰 Rectifiers Z-REC™ RECTIFIERS and ZERO-RECOVERY® RECTIFIERS SILICON CARBIDE Z-FET™ MOSFET 文件：291.41 Kbytes 页数：2 Pages	Cree 科锐	Cree
C3D10060A_15	文件：835.13 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode 文件：835.13 Kbytes 页数：6 Pages	Cree 科锐	Cree
C3D10060G_14	文件：661.76 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode 文件：661.76 Kbytes 页数：6 Pages	Cree 科锐	Cree

详细参数

型号：
C3D10060
功能描述：
肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 10A
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
产品：
Schottky Diodes
峰值反向电压：
2 V
正向连续电流：
50 mA
配置：
Crossover Quad
正向电压下降：
370 mV
最大功率耗散：
75 mW
工作温度范围：
- 65 C to + 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-143
封装：
Reel

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