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2N7002PW	文件：1.83344 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features Lowon-resistance ESDprotectedgateupto2kVHBM High-speedswitching Drivecircuitscanbesimple Paralleluseiseasy	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
2N7002Q	文件：7.23255 Mbytes Page：5 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Description ●TrenchPowerMVMOSFETtechnology ●Voltagecontrolledsmallsignalswitch ●LowinputCapacitance ●FastSwitchingSpeed ●LowInput/OutputLeakage GeneralFeatures ●VDS60V ●ID300mA ●RDS(ON)(atVGS=10V)	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
2N7002Q	文件：386.66 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features LowOn-Resistance LowGateThresholdVoltage LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed SmallSurfaceMountPackage TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Notes3) The2N7002Qissuitableforautomotiveapplicationsrequir	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
2N7002S	文件：121.57 Kbytes Page：5 Pages	SURFACEMOUNTDualN-ChannelEnhancementMOSFET/VOLTAGE60VoltsCURRENT0.250Ampere [CHENMKO] FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SC-88/SOT-363) HighdensitycelldesignforlowRDS(ON). Suitableforhighpackingdensity. Ruggedandreliable. Highsaturationcurrentcapability. Voltagecontrolledsmallsignalswitch. APPLICATION Servomotorcontrol. Po	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
2N7002SPT	文件：145.68 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementMOSFET	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
2N7002SSPT	文件：423.27 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementMOSFET	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
2N7002T	文件：292.9 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET FEATURES: FastSwitchingSpeed LowOn-Resistance LowVoltageDriver APPLICATIONS: Drivers:Relays,Solenoids,Lamps,Hammers,Displays,Memories BatteryOperatedSystems PowerSupplyConverterCircuits *Load/PowerSwitchingCellPhones,Pagers	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
2N7002T	文件：121.52 Kbytes Page：3 Pages	SmallSignalMOSFET FEATURES ●HighdensitycelldesignforlowRDS(ON). ●Voltagecontrolledsmallsignalswitch. ●Ruggedandreliable. ●Highsaturationcurrentcapability.	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2N7002T	文件：333.8 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N7002T	文件：156.68 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors FEATURES Powerdissipation PD:0.15W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ID:115mA Collector-basevoltage VDS:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL

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