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2N7002F	文件：100.1 Kbytes Page：12 Pages	N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusingTrenchMOStechnology.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
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2N7002-G	文件：183.7 Kbytes Page：4 Pages	MOSFET MOSFET(N-Channel) RoHSDevice Features Powerdissipation:0.35W	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
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2N7002-G	文件：444.49 Kbytes Page：14 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET GeneralDescription TheSupertex2N7002isanenhancement-mode(normallyoff)transistorthatutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistors,andthehi	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
2N7002H	文件：444.59 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET DescriptionandApplications ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(on))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhigh-efficiencypowermanagementapplications. •MotorControl •PowerManagementFunctions FeaturesandBenefits •N-Channel	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
2N7002H	文件：283.29 Kbytes Page：15 Pages	60V,N-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology •AEC-Q101quali	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002-HF	文件：122.63 Kbytes Page：4 Pages	MOSFET Features -Powerdissipation:0.35W	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
2N7002HS	文件：294.8 Kbytes Page：15 Pages	60V,dualN-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription DualN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaverysmallSOT363(SC-88) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnolog	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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