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2N7002PT	文件：184.33 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor-0.25Amp60Volt □Feature -Smallsurfacemountingtype -HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) -Suitableforhighpackingdensity -Ruggedandreliable -Highsaturationcurrentcapability -Voltagecontrolledsmallsignalswitch □Application -Servomotorcontrol -PowerMOSFETgatedrivers -Othe	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体深圳市矽莱克半导体有限公司	SIRECT
2N7002PT	文件：191.36 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE60VoltsCURRENT0.250Ampere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SOT-23) HighdensitycelldesignforlowRDS(ON). Suitableforhighpackingdensity. Ruggedandreliable. Highsaturationcurrentcapability. Voltagecontrolledsmallsignalswitch. APPLICATION *Servo	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
2N7002PT	文件：332.82 Kbytes Page：16 Pages	Logic-levelcompatible Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT416(SC-75)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits ■Logic-levelcompatible ■Veryfastswitching ■TrenchMOSFETtechnology ■AEC-Q101quali	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
2N7002PT	文件：430.71 Kbytes Page：17 Pages	60V,310mAN-channelTrenchMOSFET 1.1Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT416(SC-75) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits Logic-levelcompatible Veryfastswitching TrenchMOSFETtechnology AEC-Q	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002PV	文件：168.81 Kbytes Page：16 Pages	60V,350mAN-channelTrenchMOSFET Generaldescription DualN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inanultrasmallandflatleadSOT666Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits ●Logic-levelcompatible ●Veryfastswitching ●TrenchMOSFETtechnology	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
2N7002PV	文件：272.01 Kbytes Page：14 Pages	60V,350mAdualN-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription DualN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inanultrasmallSOT666 Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology 3.Ap	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002PW	文件：173.23 Kbytes Page：16 Pages	60V,0.3AN-channelTrenchMOSFET Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaverysmallSOT323(SC-70)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits ●Logic-levelcompatible ●Veryfastswitching ●TrenchMOSFETtechnology ●AEC-Q101	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
2N7002PW	文件：1.01359 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2N7002PW	文件：282.79 Kbytes Page：15 Pages	60V,310mAN-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaverysmallSOT323(SC-70) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology •	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002PW	文件：1.83344 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features Lowon-resistance ESDprotectedgateupto2kVHBM High-speedswitching Drivecircuitscanbesimple Paralleluseiseasy	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC

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