2N7002PV中文资料安世数据手册PDF规格书
2N7002PV规格书详情
1. General description
Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small SOT666
Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
2. Features and benefits
• Logic-level compatible
• Very fast switching
• Trench MOSFET technology
3. Applications
• Relay driver
• High-speed line driver
• Low-side loadswitch
• Switching circuits
产品属性
- 型号：
2N7002PV
- 功能描述：
MOSFET MOSFET N-CH DUAL 60V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
24+ |
NA |
8000 |
原装现货,专业配单专家 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
原厂原封可拆样 |
65258 |
百分百原装现货,实单必成 |
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恩XP |
25+ |
SOT-666 |
32000 |
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询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
21+ |
NA |
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恩XP |
2024+ |
N/A |
70000 |
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NEXPERIA |
21+20+ |
SOT666 |
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恩XP |
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60000 |
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恩XP |
24+ |
SOT-666 |
9000 |
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恩XP |
24+ |
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6000 |
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VISHAY/威世 |
20+ |
SMD |
880000 |
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