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2N7002P中文资料安世数据手册PDF规格书

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厂商型号

2N7002P

功能描述

60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFET

丝印标识

LW

封装外壳

SOT23

文件大小

283.93 Kbytes

页面数量

15

生产厂商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

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数据手册

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更新时间

2025-10-12 22:59:00

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2N7002P规格书详情

1. General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB)

Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

2. Features and benefits

• Logic-level compatible

• Very fast switching

• Trench MOSFET technology

• AEC-Q101 qualified

3. Applications

• Relay driver

• High-speed line driver

• Low-side load switch

• Switching circuits

产品属性

  • 型号:

    2N7002P

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 60 V 360 mA

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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