2N7002P中文资料恩XP数据手册PDF规格书
2N7002P规格书详情
General description
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
Features and benefits
■ Logic-level compatible
■ Very fast switching
■ Trench MOSFET technology
■ AEC-Q101 qualified
Applications
■ Relay driver
■ High-speed line driver
■ Low-side loadswitch
■ Switching circuits
产品属性
- 型号：
2N7002P
- 功能描述：
MOSFET N-CH 60 V 360 mA
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
23+ |
N/A |
12000 |
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询价 | ||
恩XP |
10+ |
SOT23 |
4987 |
原装 |
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NEXP |
2025+ |
SOT-23 |
5000 |
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恩XP |
25+ |
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Nexperia |
25+ |
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恩XP |
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SOT23 |
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恩XP |
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恩XP |
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SOT-23 |
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恩XP |
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23+ |
SOT-23 |
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