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2N7002P中文资料恩XP数据手册PDF规格书

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厂商型号

2N7002P

功能描述

60 V, 0.3 A N-channel Trench MOSFET

丝印标识

LW-

封装外壳

SOT-23

文件大小

173.25 Kbytes

页面数量

16

生产厂商

恩XP

数据手册

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更新时间

2025-12-13 11:30:00

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2N7002P规格书详情

General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Features and benefits

■ Logic-level compatible

■ Very fast switching

■ Trench MOSFET technology

■ AEC-Q101 qualified

Applications

■ Relay driver

■ High-speed line driver

■ Low-side loadswitch

■ Switching circuits

产品属性

  • 型号:

    2N7002P

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 60 V 360 mA

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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