2N7002PV中文资料恩XP数据手册PDF规格书
2N7002PV规格书详情
General description
Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small and flat lead SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
Features and benefits
● Logic-level compatible
● Very fast switching
● Trench MOSFET technology
● AEC-Q101 qualified
Applications
● Relay driver
● High-speed line driver
● Low-side loadswitch
● Switching circuits
产品属性
- 型号:
2N7002PV
- 功能描述:
MOSFET MOSFET N-CH DUAL 60V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXP |
24+ |
NA/ |
12500 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
原厂原封可拆样 |
65258 |
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NEXPERIA/安世 |
21+ |
NA |
8000 |
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NEXPERIA |
21+20+ |
SOT666 |
4000 |
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恩XP |
22+ |
SOT-666 |
149772 |
只做原装正品 |
询价 | ||
恩XP |
SOT666 |
12500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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恩XP |
23+ |
NA |
20094 |
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恩XP |
25+ |
SOT-666 |
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恩XP |
23+ |
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恩XP |
2024 |
SOT666 |
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