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2N5210BU

Package:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 50V 0.1A TO-92

ONSEMI

安森美半导体

2N5210

NPN SILICON AF LOW NOISE SMALL SIGNAL TRANSISTORS

文件:146.9 Kbytes 页数:2 Pages

MICRO-ELECTRONICS

2N5210

NPN General Purpose Amplifier

NPN General Purpose Amplifier This device is designed for low noise, high gain, general purpose amplifier applications at collector currents from 1µA to 50 mA.

文件:77.49 Kbytes 页数:2 Pages

Fairchild

仙童半导体

2N5210

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

文件:33.94 Kbytes 页数:1 Pages

Samsung

三星

产品属性

  • 产品编号:

    2N5210BU

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    700mV @ 1mA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 100µA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    30MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

  • 供应商器件封装:

    TO-92-3

  • 描述:

    TRANS NPN 50V 0.1A TO-92

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
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更多2N5210BU供应商 更新时间2026-1-7 23:00:00