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2N5306	文件：59.95 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued) DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N4400 and 2N4401 are silicon NPN transistors designed for general purpose amplifier and switching applications. PNP complementary types are 2N4402 and 2N4403. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：59.95 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N5306	文件：97.23 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5306, 2N5308 types are NPN Silicon EPitaxial Planar Darlington Transistors designed for high gain amplifier applications. 文件：97.23 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N5306	文件：126.29 Kbytes Page：4 Pages	SILICON DARLINGTON TRANSISTORS Silicon Darlington Transistors 文件：126.29 Kbytes 页数：4 Pages	GESS	GESS
2N5306	文件：120.44 Kbytes Page：1 Pages	SILICON TRANSISTORS Signal Transistor Silicon Darlington Transistors 文件：120.44 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5306	文件：70.69 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Darlington Transistors Silicon Darlington Transistors 文件：70.69 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5306	文件：23.63 Kbytes Page：2 Pages	NPN Darlington Transistor NPN Darlington Transistor • This device is designed for applications requiring extremely high current gain at currents to 1.0A. • Sourced from process 05. • See MPSA14 for characteristics. 文件：23.63 Kbytes 页数：2 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
2N5306	文件：58.78 Kbytes Page：4 Pages	NPN Darlington Transistor 文件：58.78 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
2N5306	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans Darlington NPN 25V 1.2A 3-Pin TO-92 Bulk	NJS	NJS
2N5306	文件：300 bytes Page：1 Pages	Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Darlington	Central	Central
2N5306	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Darlington Transistor	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
2N5306
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl
性质：
低频或音频放大（LF）_前置放大（V）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
0.3A
最大工作频率：
60MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC517,BC617,MPS-A13,MPS-A14,2SD892,
最大耗散功率：
0.4W
放大倍数：
β>7000
图片代号：
A-20
vtest：
25
htest：
60000000
atest：
0.3
wtest：
0.4

产品属性

产品编号：
2N5306
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.4V @ 200µA，200mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
7000 @ 2mA，5V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS NPN DARL 25V 1.2A TO92-3

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