2N5306分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2N5306 |
| 参数属性 | 2N5306 封装/外壳为TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 25V 1.2A TO92-3 |
| 功能描述 | SILICON DARLINGTON TRANSISTORS |
| 封装外壳 | TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） |
| 文件大小 |
126.29 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | GESS |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-4 14:27:00 |
| 人工找货 | 2N5306价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
2N5306三极管、2N5306晶体管、2N5306晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-N+Darl
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_前置放大 （V）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
25V
- 最大电流允许值：
0.3A
- 最大工作频率：
60MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BC517,BC617,MPS-A13,MPS-A14,2SD892,
- 最大耗散功率：
0.4W
- 放大倍数：
β>7000
- 图片代号：
A-20
- vtest：
25
- htest：
60000000
- atest：
0.3
- wtest：
0.4
2N5306规格书详情
Silicon Darlington Transistors
产品属性
- 产品编号：
2N5306
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.4V @ 200µA，200mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
7000 @ 2mA，5V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
- 供应商器件封装：
TO-92-3
- 描述：
TRANS NPN DARL 25V 1.2A TO92-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NS |
2023+ |
TO92 |
1960 |
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onsemi |
25+ |
TO-226-3 TO-92-3 标准主体(!- |
9350 |
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TO92 |
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TO92 |
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TO-92 |
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2N5306 |
25+ |
57 |
57 |
询价 | |||
FSC |
24+ |
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6540 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
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