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2N3904RLRPG	文件：85.66 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N3904S	文件：448.76 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •LowLeakageCurrent :ICEX=50nA(Max.),IBL=50nA(Max.) @VCE=30V,VEB=3V. •ExcellentDCCurrentGainLinearity. •LowSaturationVoltage :VCE(sat)=0.3V(Max.)@IC=50mA,IB=5mA. •LowCollectorOutputCapacitance	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N3904S	文件：416 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N3904S	文件：232.66 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistor	FS First Silicon Co., Ltd	FS
2N3904SC	文件：706.4 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •LowLeakageCurrent :ICEX=50nA(Max.),IBL=50nA(Max.) @VCE=30V,VEB=3V. •ExcellentDCCurrentGainLinearity. •LowSaturationVoltage :VCE(sat)=0.3V(Max.)@IC=50mA,IB=5mA. •Complementaryto2N3906SC.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N3904TA	文件：329.69 Kbytes Page：9 Pages	NPNGeneral-PurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedasageneral−purposeamplifierandswitch. Theusefuldynamicrangeextendsto100mAasaswitchandto 100MHzasanamplifier.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N3904TA	文件：175.07 Kbytes Page：7 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedasageneral-purposeamplifierandswitch.Theusefuldynamicrangeextendsto100mAasaswitchandto100MHzasanamplifier.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N3904-TA	文件：1.75489 Mbytes Page：5 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors Features NPNsiliconepitaxialplanartransistorforswitchingand Amplifierapplications Ascomplementarytype,thePNPtransistor2N3906is Recommended ThistransistorisalsoavailableintheSOT-23casewith thetypedesignationMMBT3904	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2N3904TAR	文件：329.69 Kbytes Page：9 Pages	NPNGeneral-PurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedasageneral−purposeamplifierandswitch. Theusefuldynamicrangeextendsto100mAasaswitchandto 100MHzasanamplifier.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N3904TF	文件：329.69 Kbytes Page：9 Pages	NPNGeneral-PurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedasageneral−purposeamplifierandswitch. Theusefuldynamicrangeextendsto100mAasaswitchandto 100MHzasanamplifier.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N3904TFR	文件：329.69 Kbytes Page：9 Pages	NPNGeneral-PurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedasageneral−purposeamplifierandswitch. Theusefuldynamicrangeextendsto100mAasaswitchandto 100MHzasanamplifier.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N3904U	文件：206.65 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistor	FS First Silicon Co., Ltd	FS
2N3904U	文件：21.29 Kbytes Page：1 Pages	USMPACKAGE	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N3904U	文件：481.12 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •LowLeakageCurrent :ICEX=50nA(Max.),IBL=50nA(Max.) @VCE=30V,VEB=3V. •ExcellentDCCurrentGainLinearity. •LowSaturationVoltage :VCE(sat)=0.3V(Max.)@IC=50mA,IB=5mA. •LowCollectorOutputCapacitance	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N3904V	文件：97.72 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •LowLeakageCurrent :ICEX=50nA(Max.),IBL=50nA(Max.) @VCE=30V,VEB=3V. •ExcellentDCCurrentGainLinearity. •LowSaturationVoltage :VCE(sat)=0.3V(Max.)@IC=50mA,IB=5mA. •LowCollectorOutputCapacitance	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
G2N3904	文件：129.72 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
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H2N3904	文件：36.38 Kbytes Page：4 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheH2N3904isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications.	HSMC 华昕	HSMC
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PJ2N3904	文件：206.37 Kbytes Page：3 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1

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更多2N3904E-RTK/P供应商更新时间2024-6-18 16:16:00

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