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2N60	文件：1.34834 Mbytes Page：13 Pages	丝印：2N60；Package：TO-220C；2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.34834 Mbytes 页数：13 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH
2N60	文件：1.3597 Mbytes Page：13 Pages	丝印：2N60；Package：TO-220C；2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.3597 Mbytes 页数：13 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH
2N60	文件：1.34734 Mbytes Page：13 Pages	丝印：2N60；Package：TO-220C；2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.34734 Mbytes 页数：13 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH
2N60	文件：1.40358 Mbytes Page：13 Pages	丝印：2N60；Package：TO-220C；2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.40358 Mbytes 页数：13 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH
2N60	文件：1.3527 Mbytes Page：13 Pages	丝印：2N60；Package：TO-220C；2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.3527 Mbytes 页数：13 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH
2N60	文件：1.34768 Mbytes Page：13 Pages	丝印：2N60；Package：TO-220C；2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.34768 Mbytes 页数：13 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH
2N60	文件：391.03 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION They are designed for use in applications such as switched mode power supplies, DC to DC converters, PWM motor controls, bridge circuits and general purpose switching applications. The Nell 2N60 is a three-terminal silicon device with current conduction capability of 2A, fast switchi 文件：391.03 Kbytes 页数：8 Pages	NELLSEMI 尼尔半导体	NELLSEMI
2N60	文件：450.29 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION 2N60 2N65 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power su 文件：450.29 Kbytes 页数：6 Pages	ZSELEC 淄博圣诺	ZSELEC
2N60	文件：1.78132 Mbytes Page：9 Pages	600V N-Channel Power MOSFET Features ● RDS(ON) 文件：1.78132 Mbytes 页数：9 Pages	DYELEC 迪一电子	DYELEC
2N60	文件：2.84594 Mbytes Page：3 Pages	TO-251 Plastic-Encapsulate MOSFET N -Channel MOSFET Features ● Robust High Voltage Termination ● Avalanche Energy Specified ● Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits ● IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature 文件：2.84594 Mbytes 页数：3 Pages	HDSEMI 海德半导体	HDSEMI

晶体管资料

型号：
2N60
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
0.2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
AC122,AC125,AC126,AC151,2N1191,2N1192,2N1193,2N1194,3AX53A,
最大耗散功率：
放大倍数：
β=65
图片代号：
D-9
vtest：
25
htest：
999900
atest：
0.2
wtest：
0

技术参数

Vdss(V)：
600
Vgss(V)：
30
Id(A)：
2
Package：
TO-220/TO-220F/TO-22...

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星宇佳科技有限公司	2N60	XY/星宇佳	21+	TO-252	72500	自主品牌量大可定	询价
深圳市诚利顺电子科技有限公司	2N60	FSC	25+	TO252	6500	十七年专营原装现货一手货源,样品免费送	询价
深圳市益百分电子有限公司	2N60	FAI	13+	T0252	2500	原装现货价格有优势量大可以发货	询价
深圳市弘为电子有限公司	2N60		24+	原厂封装	5000	原装现货假一罚十	询价
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深圳市豪迈兴电子有限公司	2N60	MOT	24+	CAN3	8858	公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	2N60	东光微		TO-220F	3164	正品原装--自家现货-实单可谈	询价
深圳市一线半导体有限公司	2N60		24+		48234		询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	2N60	UTC	25+	TO-251	5000	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
上海意淼电子科技有限公司	2N60	AAT	23+	TO-220/F	12000	全新原装假一赔十	询价

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