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2N6040	文件：174.34 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Plastic medium−power complementary silicon transistors are designed for general−purpose amplifier and low−speed switching applications. Features • High DC Current Gain − hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc • Collector−Emitter Sustaining Voltage − @ 100 mAdc − VCEO(sus) = 60 Vdc (M 文件：174.34 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6040	文件：205.87 Kbytes Page：4 Pages	DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS . . . designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications. FEATURES: • Collector–Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 60 V (Min) – 2N6040, 2N6043 = 80 V (Min) – 2N6041, 2N6044 文件：205.87 Kbytes 页数：4 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N6040	文件：71.78 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5294, 5296 and 5298 types are silicon NPN transistors that are manufactured by the epitaxial base process and designed for applications that require power amplifier and medium switching capablilites. 文件：71.78 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6040	文件：265.81 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6040 and 2N6043 Series types are Complementary Silicon Power Transistors, manufactured by the epitaxial base process, designed for general purpose amplifier applications. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：265.81 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6040	文件：199.38 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(10A,80W) . . . designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications. FEATURES: • Collector–Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 60 V (Min) – 2N6040, 2N6043 = 80 V (Min) – 2N6041, 2N6044 = 100 V (Min) – 2N6042, 2N6045 • Collecto 文件：199.38 Kbytes 页数：4 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
2N6040	文件：151.37 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION •· High DC Current Gain- : hFE = 1000(Min)@ IC= -4A • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -60V(Min) • Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat) = -2.0V(Max)@ IC= -4A • Complement to Type 2N6043 APPLICATIONS • Designed for general purpose amp 文件：151.37 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6040	文件：264.94 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= -60V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat): -2.0V(Max) @IC= -4.0A APPLICATIONS · Designed for medium power switching amplifier applications. 文件：264.94 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6040	文件：241.09 Kbytes Page：2 Pages	POWER DERATING COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS 文件：241.09 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6040	文件：260.18 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS 文件：260.18 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6040	文件：114.69 Kbytes Page：8 Pages	Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors 文件：114.69 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
2N6040
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD646,BD698,BD898,BDW74A,BDX54A,FC75B,
最大耗散功率：
75W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
B-45
vtest：
60
htest：
999900
atest：
8
wtest：
75

产品属性

产品编号：
2N6040
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2V @ 16mA，4A
电流 - 集电极截止（最大值）：
20µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 4A，4V
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS PNP DARL 60V 8A TO220

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