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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

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2N5088

10

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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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onsemi(安森美)TO-92-3

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样件支持,可原厂排单订货!

深圳市得捷芯城科技有限公司

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onsemi(安森美)TO-92-3

18798

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正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐

深圳市一线半导体有限公司

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FSCTO-92

2000

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标准国际(香港)有限公司

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2N508810

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FSCQFN16

86720

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全新原装正品价格最实惠 假一赔百

深圳市川科科技有限公司

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CENTRAL-中环TO-92-3

36218

24+25+/26+27+

1
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1000
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库

上海金庆电子技术有限公司

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SEMITO-92

541

2020+

全新 发货1-2天

深圳市昊创电子有限公司

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MOTOTO-92

1251

柜台A1盒

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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FAIRCHILDTO-92

39500

24+

进口原装现货 支持实单价优

富凯科技(深圳)有限公司

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UTC/友顺TO-92

50000

24+

只做原装,欢迎询价,量大价优

深圳市威尔健半导体有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO-92

200899

23+

深圳市亚泰盈科电子有限公司

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FSCTO-92

16800

26+

原装现货

深圳市联世界科技有限公司

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ON

4087

24+/25+

原装正品现货库存价优

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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onsemiTO-226-3 TO-92-3 长体

9350

26+

独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证

深圳市卓越微芯电子有限公司

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原厂

315

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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可

深圳市佳芯扬电子有限公司

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ST/先科TO-92

50000

26+

深圳市威尔健半导体有限公司

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HGF/恒光发TO-92

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2N5088_D74Z功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

2N5088_D75Z功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

2N5088_D81Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

2N5088_D81Z_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

2N5088_J61Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

2N5088BU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

2N5088G功能描述:两极晶体管 - BJT 50mA 35V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

产品属性

  • 产品编号:

    2N5088

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 1mA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    300 @ 100µA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    50MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 长体

  • 供应商器件封装:

    TO-92(TO-226)

  • 描述:

    TRANS NPN 30V 0.05A TO92

晶体管资料

  • 型号:

    2N5088

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_低噪放大 (ra)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    35V

  • 最大电流允许值:

    0.05A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BC109,BC169,BC173,BC184,BC209,BC239,BC384,BC549,BC584,3DG120A,

  • 最大耗散功率:

    0.625W

  • 放大倍数:

    β>300

  • 图片代号:

    A-31

  • vtest:

    35

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.05

  • wtest:

    0.625