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2N5109	文件：281.25 Kbytes Page：5 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: Silicon NPN transistor, designed for VHF and UHF equipment. Applications include amplifier; pre-driver, driver, and output stages. Also suitable for oscillator and frequency-multiplier functions. Features · Silicon NPN, To-39 packaged VHF/UHF Transistor · 1.2 GHz Current 文件：281.25 Kbytes 页数：5 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N5109	文件：32.87 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR DESCRIPTION: The 2N5109 is a High Frequency Transistor for General Purpose Amplifier Applications. 文件：32.87 Kbytes 页数：1 Pages	ASI	ASI
2N5109	文件：56.44 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N4928 series types are PNP Silicon Transistors designed for general purpose applications. 文件：56.44 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N5109	文件：494.25 Kbytes Page：2 Pages	SILICON NPN RF TRANSISTOR DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5109 is a silicon NPN epitaxial planar RF transistor mounted in a hermetically sealed package designed for high frequency amplifier applications. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：494.25 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N5109	文件：47.78 Kbytes Page：2 Pages	Type 2N5109 Geometry 1007 Polarity NPN Features: • VHF-UHF amplifier silicon transistor. • Housed in TO-39 case. • Also available in chip form using the 1007 chip geometry. • The Min and Max limits shown are per MIL-PRF-19500/398 which Semicoa meets in all cases. 文件：47.78 Kbytes 页数：2 Pages	SEMICOA	SEMICOA
2N5109	文件：318.56 Kbytes Page：5 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: The 2N5109 is a silicon NPN transistor, designed for VHF and UHF equipment. Applications include amplifier; pre-driver, driver, and output stages. It is also suitable for oscillator and frequency-multiplier functions. Features · Silicon NPN, To-39 packaged VHF/UHF Transisto 文件：318.56 Kbytes 页数：5 Pages	ADPOW	ADPOW
2N5109	文件：245.31 Kbytes Page：3 Pages	silicon transistors UHF/VHF power transistors silicon transistors UHF/VHF power transistors NPN type germanium transistors diffused-base MESA transistors ultra-high-speed switching 文件：245.31 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N5109	文件：105.47 Kbytes Page：1 Pages	COLLECTOR-EMITTER SUSTAINING VOLTAGE 文件：105.47 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5109	文件：31.03 Kbytes Page：1 Pages	Chip Type 2C5109 Geometry 1007 Polarity NPN 文件：31.03 Kbytes 页数：1 Pages	SEMICOA	SEMICOA
2N5109	文件：585.47 Kbytes Page：8 Pages	NPN - RF Transistor Die 0.4 Amp, 20 Volt 文件：585.47 Kbytes 页数：8 Pages	CENTRAL	CENTRAL

晶体管资料

型号：
2N5109
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
甚高频（VHF）_超高频/特高频（UHF）_宽频带放大
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.4A
最大工作频率：
>1.2GHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BFX50,BLX65.MRF515,MRF629,2N3948,2N5913,3DA39,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
C-62
vtest：
40
htest：
1200100000
atest：
0.4
wtest：
0

产品属性

产品编号：
2N5109
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
20V
频率 - 跃迁：
1.2GHz
增益：
12dB
功率 - 最大值：
2.5W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 50mA，15V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
400mA
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-205AD，TO-39-3 金属罐
供应商器件封装：
TO-39
描述：
RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO39

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