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2N5109 | NPN - RF Transistor Die 0.4 Amp, 20 Volt 文件:585.47 Kbytes 页数:8 Pages | Central | Central | |
2N5109 | NPN - RF Transistor Die 0.4 Amp, 30 Volt 文件:665.86 Kbytes 页数:9 Pages | Central | Central | |
2N5109 | PNP - RF Transistor Die 0.4 Amp, 40 Volt 文件:624.25 Kbytes 页数:8 Pages | Central | Central | |
2N5109 | NPN - RF Transistor Die 0.4 Amp, 30 Volt 文件:631.67 Kbytes 页数:9 Pages | Central | Central | |
2N5109 | 2.5W NPN RF BJT Transistor This BJT is packaged in TO-39 package.\n\n Available as High Reliability device per MIL-PRF-19500 indicate –HR suffix after the part number. Contact for -HR flow. Add \"PBF\" suffix for Pb-free lead finish. | Digitron | Digitron | |
2N5109 | Package:TO-205AD,TO-39-3 金属罐;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO39 | Microsemi 美高森美 | Microsemi | |
Silicon NPN Transistor 文件:199.64 Kbytes 页数:2 Pages | Semicoa | Semicoa | ||
Silicon NPN Transistor 文件:234.61 Kbytes 页数:2 Pages | Semicoa | Semicoa | ||
Chip Type 2C5109 Geometry 1007 Polarity NPN 文件:31.03 Kbytes 页数:1 Pages | Semicoa | Semicoa | ||
Silicon NPN Transistor 文件:234.61 Kbytes 页数:2 Pages | Semicoa | Semicoa |
产品属性
- 产品编号:
2N5109
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
20V
- 频率 - 跃迁:
1.2GHz
- 增益:
12dB
- 功率 - 最大值:
2.5W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
40 @ 50mA,15V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
400mA
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-205AD,TO-39-3 金属罐
- 供应商器件封装:
TO-39
- 描述:
RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO39
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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MOT |
12+ |
CAN-3 |
1000 |
2N5109 全新现货 是 硅晶体管超高频/甚高频功率晶体管
深圳市彭英电子有限公司
微信 同号 13612342533
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