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2N6284	文件：214.32 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Darlington Complementary Silicon Power Transistors . . . designed for general–purpose amplifier and low–frequency switching applications. • High DC Current Gain @ IC = 10 Adc — hFE = 2400 (Typ) — 2N6282, 2N6283, 2N6284 hFE = 4000 (Typ) — 2N6285, 2N6286, 2N6287 • Collector–Emitter Sustai 文件：214.32 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6284	文件：87.12 Kbytes Page：8 Pages	Darlington Complementary Silicon Power Transistors Darlington Complementary Silicon Power Transistors . . . designed for general–purpose amplifier and low–frequency switching applications. • High DC Current Gain @ IC = 10 Adc — hFE = 2400 (Typ) — 2N6282, 2N6283, 2N6284 hFE = 4000 (Typ) — 2N6285, 2N6286, 2N6287 • Collector–Emitter Sustai 文件：87.12 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6284	文件：129.52 Kbytes Page：7 Pages	Darlington ComplementarySilicon Power Transistors Darlington Complementary Silicon Power Transistors These packages are designed for general−purpose amplifier and low−frequency switching applications. Features • High DC Current Gain @ IC = 10 Adc − hFE = 2400 (Typ) − 2N6284 = 4000 (Typ) − 2N6287 • Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(s 文件：129.52 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6284	文件：218.76 Kbytes Page：4 Pages	DARLINGTON COPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 文件：218.76 Kbytes 页数：4 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N6284	文件：51.69 Kbytes Page：1 Pages	POWER TRANSISTORS TO-3 CASE Power Transistors TO-3 Case (Continued) 文件：51.69 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6284	文件：489.75 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS Power Transistors TO-3 Case (Continued) 文件：489.75 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6284	文件：440.94 Kbytes Page：4 Pages	NPN Darlington Power Silicon Transistor Features ● Available in JAN, JANTX, JANTXV per MIL-PRF-19500/371 ● TO-3 (TO-204AA) Package 文件：440.94 Kbytes 页数：4 Pages	MA-COM	MA-COM
2N6284	文件：211.87 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(20A,160W) 文件：211.87 Kbytes 页数：4 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
2N6284	文件：80.08 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTOR NPN SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTOR The 2N6282, 2N6283 and 2N6284 are mounted in TO-3 metal package. They are designed for use in general–purpose amplifier and low–frequency switching applications. The complementary PNP are 2N6285, 2N6286, 2N6287 Compliance to RoHS. 文件：80.08 Kbytes 页数：3 Pages	COMSET	COMSET
2N6284	文件：347.98 Kbytes Page：8 Pages	Power Transistors Power Transistors 文件：347.98 Kbytes 页数：8 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

晶体管资料

型号：
2N6284
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
20A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
BDX67B,BDX69B,BDX69C,FH10D,MJ4035,MJ11016,TIP642,2SD730,2SD1460,
最大耗散功率：
160W
放大倍数：
β>750
图片代号：
E-44
vtest：
100
htest：
999900
atest：
20
wtest：
160

产品属性

产品编号：
2N6284
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 200mA，20A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 10A，3V
工作温度：
200°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-3
描述：
TRANS NPN DARL 100V 20A TO3

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