| 零件编号 | 下载&订购 | 功能描述 | 制造商&上传企业 | LOGO |
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2N6284 | POWER TRANSISTORS(20A,160W)
| MOSPEC MOSPEC |  | |
2N6284 | DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors ...designedforgeneral–purposeamplifierandlow–frequencyswitchingapplications. •HighDCCurrentGain@IC=10Adc— hFE=2400(Typ)—2N6282,2N6283,2N6284 hFE=4000(Typ)—2N6285,2N6286,2N6287 •Collector–EmitterSustai | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  | |
2N6284 | DARLINGTON COPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
| bocaBoca semiconductor corporation 博卡博卡半导体公司 |  | |
2N6284 | Power Transistors PowerTransistors | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 |  | |
2N6284 | Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3package ·Complementtotype2N6285/6286/6287 ·HighDCcurrentgain ·DARLINGTON APPLICATIONS ·Foruseingeneral-purposeamplifierandlow-frequencyswitchingapplications | SAVANTIC Savantic, Inc. |  | |
2N6284 | Darlington Complementary Silicon Power Transistors DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors ...designedforgeneral–purposeamplifierandlow–frequencyswitchingapplications. •HighDCCurrentGain@IC=10Adc— hFE=2400(Typ)—2N6282,2N6283,2N6284 hFE=4000(Typ)—2N6285,2N6286,2N6287 •Collector–EmitterSustai | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
2N6284 | POWER TRANSISTORS TO-3 CASE PowerTransistors TO-3Case(Continued) | CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体 |  | |
2N6284 | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS Description The2N6284isanepitaxial-baseNPNpowertransistorinmonolithicDarlingtonconfigurationmountedinTO-3metalcase.Itisintededforgeneralpurposeamplifierandlowfrequencyswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypeis2N6287. Features ■Complementarytransistorsi | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 |  | |
2N6284 | NPN SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTOR NPNSILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTOR The2N6282,2N6283and2N6284aremountedinTO-3metalpackage. Theyaredesignedforuseingeneral–purposeamplifierandlow–frequencyswitchingapplications. ThecomplementaryPNPare2N6285,2N6286,2N6287CompliancetoRoHS. | COMSET Comset Semiconductor |  | |
2N6284 | NPN Darlington Power Silicon Transistor Features ●AvailableinJAN,JANTX,JANTXVperMIL-PRF-19500/371 ●TO-3(TO-204AA)Package | MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc. |  | |
2N6284 | COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
| NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 |  | |
2N6284 | Darlington ComplementarySilicon Power Transistors DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors Thesepackagesaredesignedforgeneral−purposeamplifierandlow−frequencyswitchingapplications. Features •HighDCCurrentGain@IC=10Adc−hFE=2400(Typ)−2N6284=4000(Typ)−2N6287 •Collector−EmitterSustainingVoltage−VCEO(s | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
2N6284 | COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS PowerTransistors TO-3Case(Continued) | CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体 | | |
2N6284 | Silicon NPN Power Transistors | SAVANTIC Savantic, Inc. | | |
2N6284 | Darlington Complementary Silicon Power Transistors | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
2N6284 | Complementary power Darlington transistors | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | |
2N6284 | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 | SEME-LAB Seme LAB |  | |
2N6284 | Darlington Complementary Silicon Power Transistors | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
2N6284 | NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 |  | |
2N6284 | 包装：剪切带（CT）带盒（TB） 封装/外壳：TO-204AA，TO-3 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN DARL 100V 20A TO3 | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-N+Darl+Di
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
100V
- 最大电流允许值：
20A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
2
- 可代换的型号：
BDX67B,BDX69B,BDX69C,FH10D,MJ4035,MJ11016,TIP642,2SD730,2SD1460,
- 最大耗散功率：
160W
- 放大倍数：
β>750
- 图片代号：
E-44
- vtest：
100
- htest：
999900
- atest：
20
- wtest：
160
产品属性
- 产品编号：
2N6284
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 200mA，20A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 10A，3V
- 工作温度：
200°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
- 供应商器件封装：
TO-3
- 描述：
TRANS NPN DARL 100V 20A TO3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
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TO |
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询价 | ||
MOTOROLA |
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