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2N6284	文件：229.44 Kbytes Page：2 Pages	COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE 文件：229.44 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6284	文件：114.2 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION · With TO-3 package · Complement to type 2N6285/6286/6287 · High DC current gain · DARLINGTON APPLICATIONS · For use in general-purpose amplifier and low-frequency switching applications 文件：114.2 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6284	文件：52.54 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS Description The 2N6284 is an epitaxial-base NPN power transistor in monolithic Darlington configuration mounted in TO-3 metal case. It is inteded for general purpose amplifier and low frequency switching applications. The complementary PNP type is 2N6287. Features ■ Complementary transistors i 文件：52.54 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2N6284	文件：64.629 Kbytes Page：2 Pages	NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR 文件：64.629 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N6284	文件：115.78 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：115.78 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6284	文件：15.52 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 文件：15.52 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N6284	文件：527.05 Kbytes Page：8 Pages	Complementary power Darlington transistors 文件：527.05 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2N6284	文件：141.3 Kbytes Page：7 Pages	Darlington Complementary Silicon Power Transistors 文件：141.3 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6284	文件：155.38 Kbytes Page：7 Pages	Darlington Complementary Silicon Power Transistors 文件：155.38 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6284	文件：300 bytes Page：1 Pages	Darlington NPN Silicon Power 80V to 100V, 20A This specification covers the performance requirements for NPN silicon power Darlington, 2N6283 and 2N6284 transistors. Three levels of product assurance (JAN, JANTX and JANTXV) are provided for each encapsulated device as specified in MIL-PRF-19500/504. The device package outlines are as follows: T	Microchip 微芯科技	Microchip

晶体管资料

型号：
2N6284
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
20A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
BDX67B,BDX69B,BDX69C,FH10D,MJ4035,MJ11016,TIP642,2SD730,2SD1460,
最大耗散功率：
160W
放大倍数：
β>750
图片代号：
E-44
vtest：
100
htest：
999900
atest：
20
wtest：
160

产品属性

产品编号：
2N6284
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 200mA，20A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 10A，3V
工作温度：
200°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-3
描述：
TRANS NPN DARL 100V 20A TO3

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