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2N6284

Transistor

Comset

2N6284

Bipolar Junction Transistors

TT Electronics

2N6284

Package:TO-204AA,TO-3;包装:剪切带(CT)带盒(TB) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 100V 20A TO3

STMICROELECTRONICS

意法半导体

2N6284

包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:NPN TRANSISTOR

MICROCHIP

微芯科技

2N6284G

Darlington ComplementarySilicon Power Transistors

Darlington Complementary Silicon Power Transistors These packages are designed for general−purpose amplifier and low−frequency switching applications. Features • High DC Current Gain @ IC = 10 Adc − hFE = 2400 (Typ) − 2N6284 = 4000 (Typ) − 2N6287 • Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(s

文件:129.52 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N6284G.

Darlington ComplementarySilicon Power Transistors

Darlington Complementary Silicon Power Transistors These packages are designed for general−purpose amplifier and low−frequency switching applications. Features • High DC Current Gain @ IC = 10 Adc − hFE = 2400 (Typ) − 2N6284 = 4000 (Typ) − 2N6287 • Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(s

文件:129.52 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N6284_06

Darlington Complementary Silicon Power Transistors

文件:155.38 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N6284_08

Darlington Complementary Silicon Power Transistors

文件:141.3 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N6284_09

Complementary power Darlington transistors

文件:527.05 Kbytes 页数:8 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

2N6284G.

Darlington Complementary Silicon Power Transistors

文件:141.3 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

晶体管资料

  • 型号:

    2N6284

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    100V

  • 最大电流允许值:

    20A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    BDX67B,BDX69B,BDX69C,FH10D,MJ4035,MJ11016,TIP642,2SD730,2SD1460,

  • 最大耗散功率:

    160W

  • 放大倍数:

    β>750

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    20

  • wtest:

    160

产品属性

  • 产品编号:

    2N6284

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 200mA,20A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 10A,3V

  • 工作温度:

    200°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    TO-204AA,TO-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 20A TO3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ST/意法
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更多2N6284供应商 更新时间2026-4-17 16:36:00