2N6284分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2N6284 |
| 参数属性 | 2N6284 封装/外壳为TO-204AA，TO-3；包装为剪切带（CT）带盒（TB）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 100V 20A TO3 |
| 功能描述 | DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| 封装外壳 | TO-204AA，TO-3 |
| 文件大小 |
214.32 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-29 23:00:00 |
| 人工找货 | 2N6284价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
2N6284三极管、2N6284晶体管、2N6284晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-N+Darl+Di
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
100V
- 最大电流允许值：
20A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
2
- 可代换的型号：
BDX67B,BDX69B,BDX69C,FH10D,MJ4035,MJ11016,TIP642,2SD730,2SD1460,
- 最大耗散功率：
160W
- 放大倍数：
β>750
- 图片代号：
E-44
- vtest：
100
- htest：
999900
- atest：
20
- wtest：
160
2N6284规格书详情
Darlington Complementary Silicon Power Transistors
. . . designed for general–purpose amplifier and low–frequency switching applications.
• High DC Current Gain @ IC = 10 Adc —
hFE = 2400 (Typ) — 2N6282, 2N6283, 2N6284
hFE = 4000 (Typ) — 2N6285, 2N6286, 2N6287
• Collector–Emitter Sustaining Voltage —
VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) — 2N6282, 2N6285
VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) — 2N6283, 2N6286
VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) — 2N6284, 2N6287
• Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistors
产品属性
- 产品编号：
2N6284
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 200mA，20A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 10A，3V
- 工作温度：
200°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
- 供应商器件封装：
TO-3
- 描述：
TRANS NPN DARL 100V 20A TO3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
25+ |
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21000 |
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