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UPA1715

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION ThisproductisP-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofnotebookcomputersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=8.5mΩTYP.(VGS=–10V,ID=–6.0A) RDS(on)2=11.0mΩTYP.(VGS=–4.5

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

UPA1715

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES ·Lowon-resistance RDS(on)1=8.5mWTYP.(VGS=–10V,ID=–6.0A) RDS(on)2=11.0mWTYP.(VGS=–4.5V,ID=–6.0A) RDS(on)3=12.0mWTYP.(VGS=–4.0V,ID=–6.0A) ·LowCiss:Ciss=3800pFTYP. ·Built-inG-Sprotect

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

UPA1715

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE;

RenesasRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

UPA1715G

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION ThisproductisP-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofnotebookcomputersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=8.5mΩTYP.(VGS=–10V,ID=–6.0A) RDS(on)2=11.0mΩTYP.(VGS=–4.5

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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES ·Lowon-resistance RDS(on)1=8.5mWTYP.(VGS=–10V,ID=–6.0A) RDS(on)2=11.0mWTYP.(VGS=–4.5V,ID=–6.0A) RDS(on)3=12.0mWTYP.(VGS=–4.0V,ID=–6.0A) ·LowCiss:Ciss=3800pFTYP. ·Built-inG-Sprotect

RENESASRenesas Technology Corp

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详细参数

  • 型号:

    UPA1715

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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更多UPA1715供应商 更新时间2025-7-30 11:15:00