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UPA1793	文件：118.52 Kbytes Page：12 Pages	SWITCHING N- AND P-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The µPA1793 is N- and P-Channel MOS Field Effect Transistors designed for Motor Drive application. FEATURES • Low on-state resistance N-Channel RDS(on)1 = 69 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 1.5 A) RDS(on)2 = 72 mΩ MAX. (VGS = 4.0 V, ID = 1.5 A) 文件：118.52 Kbytes 页数：12 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPA1793	文件：346.61 Kbytes Page：14 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FEATURES • Low on-state resistance N-Channel RDS(on)1 = 69 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 1.5 A) RDS(on)2 = 72 mΩ MAX. (VGS = 4.0 V, ID = 1.5 A) RDS(on)3 = 107 mΩ MAX. (VGS = 2.5 V, ID = 1.0 A) P-Channel RDS(on)1 = 115 mΩ MAX. (VGS = –4.5 V, ID = –1.5 A) RDS(on)2 = 120 mΩ MAX. (VGS = –4.0 V, ID 文件：346.61 Kbytes 页数：14 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPA1793	文件：300 bytes Page：1 Pages	SWITCHING N- AND P-CHANNEL POWER MOS FET	Renesas 瑞萨	Renesas
UPA1793G	文件：118.52 Kbytes Page：12 Pages	SWITCHING N- AND P-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The µPA1793 is N- and P-Channel MOS Field Effect Transistors designed for Motor Drive application. FEATURES • Low on-state resistance N-Channel RDS(on)1 = 69 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 1.5 A) RDS(on)2 = 72 mΩ MAX. (VGS = 4.0 V, ID = 1.5 A) 文件：118.52 Kbytes 页数：12 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPA1793G	文件：346.61 Kbytes Page：14 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FEATURES • Low on-state resistance N-Channel RDS(on)1 = 69 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 1.5 A) RDS(on)2 = 72 mΩ MAX. (VGS = 4.0 V, ID = 1.5 A) RDS(on)3 = 107 mΩ MAX. (VGS = 2.5 V, ID = 1.0 A) P-Channel RDS(on)1 = 115 mΩ MAX. (VGS = –4.5 V, ID = –1.5 A) RDS(on)2 = 120 mΩ MAX. (VGS = –4.0 V, ID 文件：346.61 Kbytes 页数：14 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

详细参数

型号：
UPA1793
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
SWITCHING N- AND P-CHANNEL POWER MOS FET

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