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UPA1728	文件：39.08 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION The µPA1728 is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Single chip type • Low On-state Resistance RDS(on)1 = 19 mΩ (TYP.) (VGS = 10 V, ID = 4.5 A) RDS(on)2 = 23 mΩ (TYP.) (VGS = 4.5 V, ID = 4.5 A) RDS(on)3 = 24 文件：39.08 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPA1728	文件：295.64 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Single chip type • Low on-state resistance RDS(on)1 = 19 mΩ TYP. (VGS = 10 V, ID = 4.5 A) RDS(on)2 = 23 mΩ TYP. (VGS = 4.5 V, ID = 4.5 A) RDS(on)3 = 24 mΩ TYP. (VGS = 4.0 V, ID = 4.5 A) • Low Ciss: Ciss = 1700 pF TYP. • Built-in G-S protectio 文件：295.64 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPA1728	文件：300 bytes Page：1 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE	Renesas 瑞萨	Renesas
UPA1728G	文件：295.64 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Single chip type • Low on-state resistance RDS(on)1 = 19 mΩ TYP. (VGS = 10 V, ID = 4.5 A) RDS(on)2 = 23 mΩ TYP. (VGS = 4.5 V, ID = 4.5 A) RDS(on)3 = 24 mΩ TYP. (VGS = 4.0 V, ID = 4.5 A) • Low Ciss: Ciss = 1700 pF TYP. • Built-in G-S protectio 文件：295.64 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPA1728G	文件：996.41 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：996.41 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
UPA1728G	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-Power MOSFETs for Automotive	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

RDS (ON) (mohm) max. @10V or 8V：
26
Downloadable：
SPICE
Ciss (pF) typ.：
1700
Package Type：
Power SOP8
Vgs (off) (V) max.：
2.5
Nch/Pch：
Nch
VGSS (V)：
20
Number of Channels：
Single
Pch (W)：
2
Automotive：
YES
Application：
Low Voltage General Switching
VDSS (V) max.：
60
Mounting Type：
Surface Mount
ID (A)：
9
QG (nC) typ.：
31
RDS (ON) (mohm) max. @4V or 4.5V：
29

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	UPA1728	NEC	24+		37450		询价
深圳市英卓尔科技有限公司	UPA1728	NEC	20+	SOP	2960	诚信交易大量库存现货	询价
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更多UPA1728供应商更新时间2025-12-2 10:21:00

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