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STP180N55F3

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 120A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance; -RDS(on) = 3.8mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:372.04 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

STP180N55F3

N-channel 55V - 3.2m廓 - 120A - D2PAK/TO-220 STripFET??Power MOSFET

文件:440.89 Kbytes 页数:14 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STP180N55F3

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:1.42537 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

STB180N55F3

N-channel 55V - 3.2m廓 - 120A - D2PAK/TO-220 STripFET??Power MOSFET

文件:440.89 Kbytes 页数:14 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

详细参数

  • 型号:

    STP180N55F3

  • 功能描述:

    MOSFET N Ch 600V 6A Hyper fast IGBT

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多STP180N55F3供应商 更新时间2026-1-30 16:21:00