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STP240N10F7	文件：320.18 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：320.18 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STP240N10F7	文件：622.11 Kbytes Page：13 Pages	Ultra low on-resistance 文件：622.11 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STP240N10F7	文件：1.6143 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology 文件：1.6143 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
STP240N10F7	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道100 V、2.85 mOhm典型值、110 A STripFET F7功率MOSFET，TO-220封装该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。 • 超低导通电阻 \n• 经过100％雪崩测试;	ST 意法半导体	ST

技术参数

Package：
TO-220AB
Grade：
Industrial
VDSS(V)：
100
RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：
0.0032
Drain Current (Dc)_max(A)：
110
PTOT_max(W)：
300
Qg_typ(nC)：
160

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