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STP20NF06L	文件：395.82 Kbytes Page：16 Pages	N-channel 60V - 0.06廓 - 20A - D2PAK/TO-220/TO-220FP STripFET??II Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
D20NF06L	文件：416.49 Kbytes Page：14 Pages	N-channel60V-0.032OHM-24A-DPAK-IPAKSTripFETIIPowerMOSFET Description ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsunique“SingleFeatureSize™”stripbasedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemar	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STB20NF06L	文件：395.82 Kbytes Page：16 Pages	N-channel60V-0.06廓-20A-D2PAK/TO-220/TO-220FPSTripFET??IIPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD20NF06	文件：2.38019 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
STD20NF06	文件：342.91 Kbytes Page：13 Pages	N-CHANNEL60V-0.032OHM-24ADPAKSTripFETTMIIPOWERMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD20NF06L	文件：330.57 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=24A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=40mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STD20NF06L	文件：1.15232 Mbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralDescription TheSTD20NF06Lusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge. Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features VDS=60V,ID=30A RDS(ON),25mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),30mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnol	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
STD20NF06L	文件：1.1867 Mbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralDescription TheSTD20NF06Lusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge. Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features VDS=60V,ID=30A RDS(ON),25mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),30mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnolo	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
STD20NF06L	文件：416.49 Kbytes Page：14 Pages	N-channel60V-0.032OHM-24A-DPAK-IPAKSTripFETIIPowerMOSFET Description ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsunique“SingleFeatureSize™”stripbasedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemar	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD20NF06LAG	文件：605.19 Kbytes Page：15 Pages	Automotive-gradeN-channel60V,32mΩtyp.,24A,STripFETIIPowerMOSFETinaDPAKpackage Features •AEC-Q101qualified •Exceptionaldv/dtcapability •100avalanchetested •Lowgatecharge Applications •Switchingapplications Description ThisPowerMOSFEThasbeendevelopedusingSTMicroelectronics'unique STripFETprocess,whichisspecificallydesignedtominimizein	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STP20NF06L
功能描述：
MOSFET N-Ch 60 Volt 20 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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