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D20NF06L	文件：416.49 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 60V - 0.032OHM - 24A - DPAK - IPAK STripFET II Power MOSFET Description ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsunique“SingleFeatureSize™”stripbasedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemar	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
D20NF06L-1	文件：416.49 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 60V - 0.032OHM - 24A - DPAK - IPAK STripFET II Power MOSFET Description ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsunique“SingleFeatureSize™”stripbasedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemar	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STB20NF06L	文件：395.82 Kbytes Page：16 Pages	N-channel60V-0.06廓-20A-D2PAK/TO-220/TO-220FPSTripFET??IIPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD20NF06	文件：2.38019 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
STD20NF06	文件：342.91 Kbytes Page：13 Pages	N-CHANNEL60V-0.032OHM-24ADPAKSTripFETTMIIPOWERMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD20NF06L	文件：330.57 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=24A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=40mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STD20NF06L	文件：1.15232 Mbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralDescription TheSTD20NF06Lusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge. Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features VDS=60V,ID=30A RDS(ON),25mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),30mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnol	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
STD20NF06L	文件：1.1867 Mbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralDescription TheSTD20NF06Lusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge. Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features VDS=60V,ID=30A RDS(ON),25mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),30mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnolo	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
STD20NF06L	文件：416.49 Kbytes Page：14 Pages	N-channel60V-0.032OHM-24A-DPAK-IPAKSTripFETIIPowerMOSFET Description ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsunique“SingleFeatureSize™”stripbasedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemar	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD20NF06LAG	文件：605.19 Kbytes Page：15 Pages	Automotive-gradeN-channel60V,32mΩtyp.,24A,STripFETIIPowerMOSFETinaDPAKpackage Features •AEC-Q101qualified •Exceptionaldv/dtcapability •100avalanchetested •Lowgatecharge Applications •Switchingapplications Description ThisPowerMOSFEThasbeendevelopedusingSTMicroelectronics'unique STripFETprocess,whichisspecificallydesignedtominimizein	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
D20NF06L
制造商：
STMICROELECTRONICS
制造商全称：
STMicroelectronics
功能描述：
N-channel 60V - 0.032OHM - 24A - DPAK - IPAK STripFET II Power MOSFET

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