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STP180N55F3中文资料PDF规格书
产品属性
- 型号：
STP180N55F3
- 功能描述：
MOSFET N Ch 600V 6A Hyper fast IGBT
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
TO220 |
28533 |
原盒原标,正品现货 诚信经营 价格美丽 假一罚十! |
询价 | |||
ST |
20+ |
TO-220 |
65300 |
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询价 | ||
ST |
20+ |
TO220ABNONISOL |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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ST/意法 |
23+ |
NA/ |
26050 |
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22+ |
NA |
3000 |
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ST/意法 |
23+ |
TO220ABNONISOL |
10000 |
公司只做原装正品 |
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STMicroelectronics |
18+ |
NA |
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ST |
24+ |
TO-220 |
2500 |
进口原装现货/假一赔十 |
询价 | ||
ST |
07+/08+ |
TO-220-3 |
630 |
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VBSEMI |
19+ |
TO-220 |
29600 |
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