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STGD10NC60S

10 A, 600 V fast IGBT

文件:1.27233 Mbytes 页数:18 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGD10NC60SD

10 A, 600 V fast IGBT

文件:1.07434 Mbytes 页数:16 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGD10NC60SDT4

丝印:GD10NC60SD;Package:DPAK;10 A, 600 V fast IGBT

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGD10NC60ST4

丝印:GD10NC60S;Package:DPAK;10 A, 600 V fast IGBT

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGD10NC60S

Low on-voltage drop

ST

意法半导体

STGD10NC60SDT4

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 18A 60W DPAK

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意法半导体

STGD10NC60ST4

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 18A 60W DPAK

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意法半导体

详细参数

  • 型号:

    STGD10NC60S

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 10 A-600 V fast IGBT

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多STGD10NC60S供应商 更新时间2026-1-30 16:50:00