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STGD10NC60SDT4分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
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厂商型号 |
STGD10NC60SDT4 |
参数属性 | STGD10NC60SDT4 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 18A 60W DPAK |
功能描述 | 10 A, 600 V fast IGBT |
丝印标识 | |
封装外壳 | DPAK / TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
文件大小 |
1.07434 Mbytes |
页面数量 |
16 页 |
生产厂商 | STMicroelectronics |
企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
中文名称 | 意法半导体集团官网 |
原厂标识 | STMICROELECTRONICS |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 11:39:00 |
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STGD10NC60SDT4规格书详情
STGD10NC60SDT4属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由意法半导体集团制造生产的STGD10NC60SDT4晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号:
STGD10NC60SDT4
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
PowerMESH™
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
1.65V @ 15V,5A
- 开关能量:
60µJ(开),340µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
19ns/160ns
- 测试条件:
390V,5A,10欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 供应商器件封装:
DPAK
- 描述:
IGBT 600V 18A 60W DPAK
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
STGD14NC60K |
7500 |
7500 |
询价 | ||||
ST |
2511 |
SOT-252 |
16900 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
24+ |
N/A |
76000 |
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询价 | |||
ON Sem |
25+ |
25000 |
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询价 | |||
ST |
23+ |
DPAK |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
ST全系列 |
25+23+ |
DPAK |
26041 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
28000 |
原装现货只有原装.假一罚十 |
询价 | ||
ST |
1926+ |
DPAK |
6852 |
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询价 | ||
ST |
22+ |
DPAK |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |