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GD10NC60SD	文件：1.07434 Mbytes Page：16 Pages	型号：STGD10NC60SDT4；Package：DPAK；10 A, 600 V fast IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
GD10NC60S	文件：1.27233 Mbytes Page：18 Pages	型号：STGD10NC60ST4；Package：DPAK；10 A, 600 V fast IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团

详细参数

型号：
GD10NC60S
功能描述：
IGBT 晶体管 10A-600V fast IGBT
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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更多GD10NC60S供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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