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GD3HF60HD	文件：1.32745 Mbytes Page：26 Pages	型号：STGD3HF60HDT4；Package：DPAK；4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diode Description Thesedevicesarebasedonanewadvanced planartechnologyconcepttoyieldanIGBTwith morestableswitchingperformance(Eoff)versus temperature,aswellaslowerconductionlosses. Features Minimaltailcurrent Lowconductionandswitchinglosses Ultrafastsoftre	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
GD3HF60HD	文件：925.43 Kbytes Page：16 Pages	型号：STGD3HF60HDT4；Package：DPAK；4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diode Features ■Minimaltailcurrent ■Lowconductionandswitchinglosses ■Ultrafastsoftrecoveryantiparalleldiode Applications Motordrive Description TheSTGD3HF60HDisbasedonanewadvanced planartechnologyconcepttoyieldanIGBTwith morestableswitchingperformance(Eoff)v	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团

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型号：STGD3HF60HDT4；Package：DPAK；4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diode

Description Thesedevicesarebasedonanewadvanced planartechnologyconcepttoyieldanIGBTwith morestableswitchingperformance(Eoff)versus temperature,aswellaslowerconductionlosses. Features Minimaltailcurrent Lowconductionandswitchinglosses Ultrafastsoftre

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型号：STGD3HF60HDT4；Package：DPAK；4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diode

Features ■Minimaltailcurrent ■Lowconductionandswitchinglosses ■Ultrafastsoftrecoveryantiparalleldiode Applications Motordrive Description TheSTGD3HF60HDisbasedonanewadvanced planartechnologyconcepttoyieldanIGBTwith morestableswitchingperformance(Eoff)v

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详细参数

型号：
GD3HF60HD
功能描述：
IGBT 晶体管 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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