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SGP6N60UF	文件：510.16 Kbytes Page：7 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsUFseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.TheUFseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features •Highspeedswi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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SGS6N60UFD	文件：590.55 Kbytes Page：8 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.TheUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature.. Features •Highspeed	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGU6N60UF	文件：506.77 Kbytes Page：7 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsUFseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.TheUFseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features •Highspeedswi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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SGW6N60UFD	文件：569.57 Kbytes Page：8 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.TheUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features •Highspeeds	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SiHFIB6N60A	文件：159.49 Kbytes Page：8 Pages	VishaySiliconix FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS)	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFIB6N60A	文件：319.84 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SSF6N60G	文件：449.38 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedMOSFETprocesstechnology	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微电子新硅能微电子(苏州)有限公司	SILIKRON
SSF6N60G	文件：1.25128 Mbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelMOSFET	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
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SSP6N60	文件：279.88 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SSP6N60	文件：297.88 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowerRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowerinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
SSQ6N60	文件：483.58 Kbytes Page：4 Pages	N-ChEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SSS6N60	文件：1.1738 Mbytes Page：11 Pages	N-Channel650V(D-S)SuperJunctionPowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SSS6N60	文件：278.83 Kbytes Page：5 Pages	NCHANNELPOWERMOSFETS	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung

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更多SGP6N60RUFD供应商更新时间2024-9-24 10:20:00

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