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SGR6N60UF分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

SGR6N60UF
厂商型号

SGR6N60UF

参数属性

SGR6N60UF 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 6A 30W DPAK

功能描述

Ultra-Fast IGBT

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

文件大小

509.17 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

FAIRCHILD仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-28 18:33:00

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SGR6N60UF规格书详情

General Description

Fairchilds UF series of Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) provides low conduction and switching losses.

The UF series is designed for applications such as motor control and general inverters where high speed switching is a required feature.

Features

• High speed switching

• Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 3A

• High input impedance

Applications

AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls.

产品属性

  • 产品编号:

    SGR6N60UFTM

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.6V @ 15V,3A

  • 开关能量:

    57µJ(开),25µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    15ns/60ns

  • 测试条件:

    300V,3A,80 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    TO-252AA

  • 描述:

    IGBT 600V 6A 30W DPAK

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