SGR20N40L分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
SGR20N40L |
| 参数属性 | SGR20N40L 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 400V 45W DPAK |
| 功能描述 | General Description |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 文件大小 |
149.23 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | Fairchild Semiconductor |
| 企业简称 |
FAIRCHILD【仙童半导体】 |
| 中文名称 | 飞兆/仙童半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-1 20:07:00 |
| 人工找货 | SGR20N40L价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
SGR20N40L规格书详情
General Description
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) with a trench gate structure provide superior conduction and switching performance in comparison with transistors having a planar gate structure. They also have wide noise immunity. These devices are very suitable for strobe applications
特性 Features
• High input impedance
• High peak current capability (150A)
• Easy gate drive
• Surface Mount : SGR20N40L
• Straight Lead : SGU20N40L
Application
Strobe flash.
产品属性
- 产品编号：
SGR20N40LTM
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
8V @ 4.5V，150A
- 输入类型：
标准
- 工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
TO-252AA
- 描述：
IGBT 400V 45W DPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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