| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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onsemi(安森美)SOP-8 |
9555 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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UMW 友台SOP-8 |
15000 |
23+ |
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原装正品，实单请联系 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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VISHAYSOP8 |
9800 |
18+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
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深圳市豪迈兴电子有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOIC-8 |
32280 |
2339+ |
原装现货 假一罚十！十年信誉只做原装！ |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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59416 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
7906200 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
10053 |
2105+ |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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VISHAYSOP |
3500 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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VISHAY/威世SOP |
5500 |
23+ |
主营品牌深圳百分百原装现货假一罚十绝对价优 |
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深圳市金芯阳科技有限公司9年
留言
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VISHAYSOP8 |
8000 |
6 |
进口原装现货,假一赔十 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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59188 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)SOP-8 |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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上海意淼电子科技有限公司8年
留言
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SILICONIXNA |
20000 |
23+ |
全新原装假一赔十 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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VISHAYSOP8 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世NA/ |
25273 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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VISHAYSOP-8 |
50000 |
2024+ |
原装现货 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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SILICONISOP8 |
800 |
01+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
SI4425DY采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI4425DY图片
SI4425DY中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4425DY功能描述:MOSFET SO8 PCH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4425DY-E3功能描述:MOSFET 30V 11A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4425DY-T1功能描述:MOSFET 30V 11A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4425DY-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 11A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
