| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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VISHAYSOT23-6 |
10498 |
23+ |
原装现货特价热销 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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SILICONIXSOT23-6 |
2800 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT23-6 |
13500 |
23+ |
代理授权直销,原装现货,假一罚十,长期稳定供应,特 |
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深圳市华鑫创达电子有限公司1年
留言
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BAYLINEARSOT-89 |
10000 |
22+ |
公司原装现货,欢迎咨询 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世TSOP6 |
7906200 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT-163 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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SILICONIXSOT23-6 |
6000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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VISHAYSOT23-6 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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VISHAYSOT-163 |
6000 |
04+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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原厂SOT23-6 |
350000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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SILICONIXSOT23-6 |
7540 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
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SILCONIXSOT23-6 |
12800 |
22+ |
本公司只做进口原装!优势低价出售! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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VISHAYSOT-163 |
50000 |
2024+ |
原装现货 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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SILCONIXSOT23-6 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市芯诚实创科技有限公司2年
留言
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SISOT6 |
2300 |
2022 |
原装现货,诚信经营! |
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深圳市科翼源电子有限公司1年
留言
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SILICONIXTSOP-6 |
3750 |
23+ |
原厂原装正品 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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VISHAY/威世SOT23-6 |
8500 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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VISHAYNA |
8560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT23-6 |
12000 |
22+ |
只做原装、原厂优势渠道、假一赔十 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT163 |
990000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
SI3445DV-T1采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI3445DV-T1图片
SI3445DV-T1-E3价格
SI3445DV-T1-E3价格：￥4.9762品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI3445DV-T1-E3多少钱，想知道SI3445DV-T1-E3价格是多少？参考价：￥4.9762。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI3445DV-T1-E3批发价格及采购报价，SI3445DV-T1-E3销售排行榜及行情走势，SI3445DV-T1-E3报价。
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更多SI3445DV-T1功能描述:MOSFET 8V 5.6A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3445DV-T1-E3功能描述:MOSFET 8V 5.6A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3445DV-T1-GE3功能描述:MOSFET 8.0V 5.6A 2.0W 42mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
