| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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onsemi(安森美)SOP-8 |
9555 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市大联智电子有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
34000 |
21+ |
原装现货,一站式配套 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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ON/安森美SMD |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRSOP8 |
50 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市昂芯微科技有限公司3年
留言
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ON/安森美NA |
6800 |
23+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
2043 |
23+ |
原装优势公司现货! |
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深圳市新力诚科技有限公司9年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
11060 |
2021+ |
全新原装现货库存,超低价清仓! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美SOP8 |
7906200 |
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深圳市兴灿科技有限公司8年
留言
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FAIRCHILD/仙童23+ |
16500 |
2021+ |
代理授权直销,原装现货,假一罚十,长期稳定供应,特 |
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香港创芯邦电子有限公司2年
留言
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SISOP |
1500 |
10+ |
现货或发货一天 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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ON/安森美SOP-8 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市华芯源电子有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
5731 |
22+ |
面向全世界客户,原装现货亿万库存 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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VISHAYQFP-48 |
5000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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INFINEON/英飞凌TO252 |
35000 |
23+ |
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热卖原装现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRSOP8 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
9850 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP8 |
60000 |
21+ |
绝对原装正品现货,假一罚十 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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IR/INFINEONSOP-8 |
25000 |
23+ |
只做进口原装假一罚百 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IRSOIC-8 |
9850 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)SOP8 |
12237 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
SI4435DY采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI4435DY图片
SI4435DYPBF价格
SI4435DYPBF价格：￥1.0567品牌：INTERNATIONAL
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SI4435DYTRPBF资讯
SI4435DYTRPBF
SI4435DYTRPBF
SI4435DYTRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4435DY功能描述:MOSFET 30V SinGLE P-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4435DY_Q功能描述:MOSFET 30V SinGLE P-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4435DYPBF功能描述:MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 20mOhms 40nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4435DY-REVA功能描述:MOSFET 30V 8A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4435DY-REVA-E3功能描述:MOSFET 30V 8A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4435DY-T1制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET Transistor, P-Channel, SO
SI4435DY-T1-A-E3功能描述:MOSFET 30V 8A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4435DYT1REVA制造商:SILICONIX 功能描述:*
SI4435DY-T1-REVA功能描述:MOSFET 30V 8A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4435DYTR功能描述:MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
