| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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7年
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onsemiN/A |
21000 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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3年
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ON/安森美NA |
6800 |
23+ |
只做原装正品现货 |
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5年
留言
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ON/安森美SOP-8 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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1年
留言
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VISHAYSOP-8 |
2000 |
26+ |
只做原装 |
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1年
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NK/南科功率SOP-8 |
2255 |
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国产南科平替供应大量 |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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12年
留言
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SILICONWSOP |
2860 |
25+ |
原厂原装正品价格优惠公司现货欢迎查询 |
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11年
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IR/INFINEONSOP-8 |
25000 |
25+ |
只做进口原装假一罚百 |
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7年
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Infineon(英飞凌)SOIC-8 |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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7年
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Infineon(英飞凌)SOIC-8 |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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7年
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VISHAY/威世SOP8 |
3000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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13年
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IRSOP-8 |
66500 |
24+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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13年
留言
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INFINEONSOP-8 |
10000 |
25+ |
原装正品!!!优势库存!0755-83210901 |
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18年
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VISHAY |
73 |
25+ |
全新原装!优势库存热卖中! |
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3年
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Infineon Technologies8-so |
6996 |
23+ |
只做原装正品现货 |
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5年
留言
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SILICONIXSOP-8 |
26200 |
25+ |
原装现货,诚信经营! |
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11年
留言
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IRSOP8 |
8000 |
10 |
进口原装现货,假一赔十 |
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5年
留言
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INFINEON/英飞凌SO8 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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3年
留言
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INFINEON/英飞凌 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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2年
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IRSOP-8 |
6255 |
16+ |
全新原装/深圳现货库2 |
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SI4435DYPBF价格
SI4435DYPBF价格：￥1.0567品牌：INTERNATIONAL
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SI4435DYTRPBF资讯
SI4435DYTRPBF
SI4435DYTRPBF
SI4435DYTRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4435DY功能描述:MOSFET 30V SinGLE P-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4435DY_Q功能描述:MOSFET 30V SinGLE P-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4435DYPBF功能描述:MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 20mOhms 40nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4435DY-REVA功能描述:MOSFET 30V 8A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4435DY-REVA-E3功能描述:MOSFET 30V 8A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4435DY-T1制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET Transistor, P-Channel, SO
SI4435DY-T1-A-E3功能描述:MOSFET 30V 8A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4435DYT1REVA制造商:SILICONIX 功能描述:*
SI4435DY-T1-REVA功能描述:MOSFET 30V 8A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4435DYTR功能描述:MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
