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SI4435DYPBF	文件：107.91 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS=-30V RDS(on)=0.020Ω Description TheseP-channelHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforusei	IRF International Rectifier	IRF
SI4435DYPBF	文件：113.3 Kbytes Page：8 Pages	Simple Drive Requirements	IRF International Rectifier	IRF
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SI4435DYTRPBF	文件：88.2 Kbytes Page：8 Pages	UltraLowOn-Resistance VDSS=-30V RDS(on)=0.020Ω Description TheseP-channelHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforusei	IRF International Rectifier	IRF
SI4435FDY	文件：192.3 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SM4435KC-TRL	文件：1.00586 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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SPP4435B	文件：1.16631 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
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SQ4435EY	文件：215.21 Kbytes Page：8 Pages	AutomotiveP-Channel30V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQ4435EY	文件：206.98 Kbytes Page：10 Pages	AutomotiveP-Channel30V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQ4435EY	文件：214.29 Kbytes Page：8 Pages	AutomotiveP-Channel30V(D-S)175°CMOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •AEC-Q101qualifiedd •100RgandUIStested •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SSG4435	文件：1.005 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SSG4435	文件：308.69 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMos.FET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SSG4435	文件：663.28 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SSM4435	文件：481.73 Kbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
SSM4435	文件：1.00494 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SSM4435M	文件：1.0049 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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详细参数

型号：
SI4435DYPBF
功能描述：
MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 20mOhms 40nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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